AlGaAs/GaAs多量子阱红外探测器暗电流特性

摘要：

介绍了AlGaAs/GaAs多量子阱红外探测器(QWIP)暗电流与噪声的关系和降低暗电流的途径:基于湿法化学腐蚀工艺制作了300μm×300μm台面单元器件,并用变温液氦杜瓦测试系统在不同温度下对红外探测器暗电流进行了测试并分析.在温度小于40 K时,随着温度的改变暗电流没有明显的变化;当温度大于40 K时,暗电流随着温度的升高迅速变大,正、负偏压下QWIP暗电流具有不对称特性.

关键词：AlGaAs/GaAs、量子阱红外探测器、暗电流

所属期刊栏目：35

分类号：TN215(光电子技术、激光技术)

资助基金：电子支撑基金项目41501070402

在线出版日期：2008-09-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：68-71