锑化铟磁阻型红外光电传感器及其特性研究

摘要：

介绍了锑化铟磁阻型光电传感器的结构及工作原理,并对锑化铟磁阻型光电传感器的输出特性进行了研究;随着间隙由0 mm增至5 mm,放大后的光电传感器输出电压峰峰值由3 V多急剧下降至500 mV以下;若使输入光脉冲电压的频率保持50 Hz不变,改变红外发光二极管输入光脉冲电压(变化范围Vpp为3.8～5.0 V),测量磁阻型光电传感器输出电压峰值Vpp随输入光脉冲电压的增加按指数规律增加;磁阻型光电传感器的中心频率为50 Hz,通频带为46～55:Hz,即通频带宽度为9 Hz,可得其品质因数Q为5.56.

关键词：锑化铟、磁阻、红外光电传感器、特性

所属期刊栏目：35

分类号：TP2121(自动化技术及设备)

资助基金：广东省"十五"重大专项项目2002A1060204

在线出版日期：2008-09-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：58-63