小发散角高功率半导体激光器研究

摘要：

在量子阱半导体激光器中,量子尺寸引起的衍射效应使半导体激光器的光束质量很差.分别限制结构的垂直结平面发散角在40°左右,使得光束整形系统比较复杂,限制了半导体激光器的直接应用.为解决这一问题,提出了降低垂直结平面发散角的要求.回顾了小发散角半导体激光器的技术发展及应用,对具有小发散角的模式扩展波导结构进行了理论模拟和实验验证,获得了优化的结构.采用MOCVD外延技术生长了外延片,制作了高峰值功率脉冲激光器,获得了快轴发散角小于25°,峰值功率大于80 W的半导体激光器,在激光引信应用中获得良好效果.

关键词：半导体激光器、发散角、模式扩展、高功率

所属期刊栏目：35

分类号：TN248.40.3(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2006-07-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：302-304,335