国产双极工艺线性电路低剂量率辐照效应评估方法

摘要：

国产双极工艺元器件应用于航天型号存在低剂量率辐射损伤增强效应风险,需要对其开展低剂量率辐照试验评估.在0.01 rad(Si)/s低剂量率辐照条件下,测试分析了不同工艺器件对不同偏置条件的敏感性差异;对比0.1 rad(Si)/s辐照试验结果,分析了器件的低剂量率辐射损伤增强效应特性,建立了辐射损伤增强因子和参数判据法相结合的评价标准;依据此标准讨论了各型号器件的低剂量率辐射增强敏感度以及抗电离总剂量辐射的能力.

关键词：线性电路、低剂量率辐照、辐射损伤增强因子、抗辐射能力

所属期刊栏目：36

分类号：TN431;V416.5(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2019-05-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：146-150