三结太阳电池高能电子损伤模拟及仿真分析

摘要：

利用wxAMPS软件构建了高效GaInP/GaAs/Ge太阳电池的中电池模型，并对电池抗辐照性能进行模拟研究。模拟发现，当辐照缺陷密度较小时，缺陷对中电池的电性能影响较小；当缺陷密度较大时，电性能的下降与电子注量值的对数成正比。计算电池的I-V和量子效率谱（QE曲线）可知，电池电性能的下降直接对应于量子效率的下降、饱和暗电流的增强以及并联电阻的衰降。模拟结果与试验结果的对比显示，在各子电池均匀损伤的假定下，1 MeV电子辐照的缺陷引入率约为0.81。

关键词：三结太阳电池、辐照损伤、缺陷密度、量子效率、数值模拟

所属期刊栏目：33

分类号：TM914.4

资助基金：国家自然科学基金面上项目“倒置生长赝形高效四结太阳电池的辐照损伤行为与机理研究”批准号11475049；哈尔滨工业大学创新创业国家级项目“新型太阳能电池空间辐照损伤与仿真分析”编号2014F19000

在线出版日期：2016-09-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：392-398