光电耦合器位移损伤效应研究

摘要：

文章针对光电耦合器在空间辐射应用中的位移损伤效应,选取了一种典型的光电耦合器4N25进行了1MeV高能电子辐照试验,获得了辐照后器件电流传输比参数(CTR)的退化与电子注量的关系:在试验注量范围(1.3×1012～1.5×1013cm-2)内,nCTR与电子通量成反比.通过位移损伤对器件及材料作用过程的分析,探讨了光电耦合器位移损伤效应作用机理.

关键词：光电耦合器、位移损伤、辐射效应

所属期刊栏目：26

分类号：V416.5;TN366(基础理论及试验)

资助基金：真空低温技术与物理国家级重点实验室基金项目9140C5503030703

在线出版日期：2009-05-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：122-124