垂直应变对Graphene/GaN异质结肖特基势垒和光学性质的影响

摘要：

半导体中金-半接触时界面处的能带弯曲形成肖特基势垒.为了获取高性能微纳电子或光子器件,必须对接触处势垒高度和接触类型进行调控.文章采用密度泛函理论研究了graphene/GaN异质结的界面行为、金-半接触类型以及光学性质.研究发现,异质结中的graphene和GaN保留了各自的本征电子性质,在界面处形成肖特基接触.通过有效调控层间距、graphene/GaN异质结中肖特基势垒以及肖特基势垒类型,可实现肖特基势垒由p型向n型转变,极大地提高光吸收强度,证实了gra-phene/GaN异质结中肖特基接触能进行有效调控,为设计高性能微纳电子器件提供参考.

关键词：异质结、肖特基势垒、光学性质、第一性原理计算

所属期刊栏目：40

分类号：O472(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金;教育部卓越工程师教育培养计划项目产学合作协同育人项目

在线出版日期：2024-02-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：56-61