金属微孔阵列增强AlGaN基量子阱红外探测器光耦合研究

摘要：

研究了表面等离子体的激发和传输物理机制,将金属二维孔阵列激发的表面等离子体近场光增强效应引入AlGaN基量子阱红外探测器设计中,利用时域有限差分( FDTD )方法对器件在垂直入射光照射下内部电场分布进行了仿真计算,分析了金属微孔结构参数对探测器吸收波长和强度的影响. 结果表明:当金属微孔阵列层厚为100 nm、阵列周期为1 . 5 μm、方孔边长为700 nm时,对探测器性能的提高最为显著.

关键词：表面等离子体、AlGaN量子阱、红外探测器

所属期刊栏目：32

分类号：O434.3(光学)

资助基金：湖北省教育厅科研指导性项目B2014039;湖北理工学院引进人才项目14xjz03R;湖北理工学院青年项目15xjz04Q;湖北理工学院校级科研重点项目13xjz08A

在线出版日期：2016-04-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：41-45