氧化锌薄膜晶体管的光诱导不稳定性

摘要：

为促进氧化锌薄膜晶体管(ZnO-TFT)在有源驱动平板显示领域中的实际应用,以高纯氧化锌(ZnO)为靶材,采用射频磁控溅射法沉积ZnO薄膜作为半导体活性层,制备出ZnO-TFT,研究了可见光诱导引起的器件特性的不稳定性.实验结果表明:在可见光照射下,该ZnO-TFT器件呈现出一定程度的不稳定性；随着光照强度的增加,迁移率稍有增大,阈值电压有微弱的减小；漏电流的相对变化量受栅电压控制,即在开态时相对变化量较小,对于2 210 lx的照射强度,相对变化量的最小值为0.58,而在亚阈值区和关态时,漏电流受光照强度的影响较大,在相同强度的光照射下相对变化量的最大值为36.29.对可见光诱导不稳定性恢复过程的研究发现,光照关断后的恢复过程相对缓慢,且随时间呈现出先快后慢的现象.

关键词：薄膜晶体管、氧化锌、光诱导、稳定性

所属期刊栏目：41

分类号：TN321+.5(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金资助项目61076113,61274085;广东省自然科学基金资助项目8451064101000257

在线出版日期：2013-07-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：11-16