通孔微结构对Cu/低-k应力诱生空洞的影响

摘要：

基于Cu的随动强化模型,采用有限元分析方法,对不同Cu/低-k通孔微结构中的应力情景进行模拟分析,探讨了因互连通孔和通孔阻挡层形成工艺的波动性,造成通孔高度、通孔沟槽深度和通孔底部阻挡层厚度的变化,以及这一变化对互连通孔和通孔底部互连应力诱生空洞的影响.结果表明:Cu/低-k互连中的通孔微结构效应,是影响互连应力和形成应力诱生空洞的重要因素.大高宽比的通孔结构更易因通孔高度变化而发生应力诱生空洞;通孔沟槽可以有效提高互连应力迁移的可靠性,但需要控制其深度:通孔底部阻挡层厚度对互连应力诱生空洞性能具有矛盾性,需要折中考虑.

关键词：Cu/低-k互连、应力诱生空洞、工艺波动、通孔微结构

所属期刊栏目：39

分类号：TN322.8(半导体技术)

资助基金：电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室基金资助项目9140C0301040801

在线出版日期：2011-08-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：135-139