SiGe HBT的热载流子效应评价

摘要：

电压加速退化试验方法(OCSAM;EB结反偏)常用于评价硅锗异质结晶体管(SiGe HBT)的热载流子效应,但晶体管在高电压、低电压分别作用下所产生的的失效机理并不相同,且耗时长.文中采用电流加速应力试验方法(FCSAM;EB结反偏、CB结正偏),评价SiGe HBT在热载流子效应作用下的可靠性,研究施加应力前后SiGe HBT器件电特性的变化,分析了电特性退化的原因.结果表明:随应力施加时间的增加,SiGe HBT的电流放大系数逐步退化;与传统的电压加速退化试验方法相比,FCSAM显著缩短了试验时间,能对SiGe HBT的长期可靠性进行有效预测.

关键词：硅锗异质结晶体管、电流加速、可靠性、热载流子效应

所属期刊栏目：37

分类号：TN322.8(半导体技术)

资助基金：模拟集成电路国家重点实验室开放基金资助项目51439030105DZ1504

在线出版日期：2009-07-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：23-26,42