低电压、低功耗CMOS基准电压源的设计

摘要：

为了有效降低模拟集成电路的功耗,提高工艺兼容性,文中提出了一种全CMOS结构的低电压、低功耗基准电压源的设计方法.该方法基于工作在亚阈值区的MOS管,利用PTAT电流源与微功耗运算放大器构成负反馈系统以提高电源电压抑制比.仿真结果表明:在1.0V的电源电压下,输出基准电压为609.mV,温度系数为46×10-6/K,静态工作电流仅为1.23μA;在1.0～5.0V的电源电压变化范围内,电压灵敏度为130μV/V,低频电源电压抑制比为74.0dB.由于使用了无寄生双极型晶体管的全CMOS结构,该电路具有良好的CMOS工艺兼容性.

关键词：基准电压源、功耗、电源电压抑制比、亚阈值

所属期刊栏目：36

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2008-12-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：128-131