温度对RTCVD法制备多晶硅薄膜生长的影响

摘要：

多晶硅薄膜太阳电池是21世纪最具发展潜力的薄膜太阳电池.如何快速、大面积、高质量地沉积多晶硅薄膜一直是多晶硅薄膜太阳电池研究中的一个核心问题.文中以SiHCl3为硅源、B2H6为掺杂气,采用先进的快热化学气相沉积法(RTCVD)制备了大晶粒的多晶硅薄膜.所制备的薄膜厚度为30～40μm,沉积速率达3～7μm/min.文中还分析了沉积温度对多晶硅薄膜生长速率及晶体微观结构的影响.结果表明:当沉积温度在900～1170℃时,平均生长速率随温度近似单调递增,此时薄膜生长由表面反应阶段控制;随着温度的升高,薄膜平均晶粒尺寸也由900℃时的不足3μm增长到1170℃时的超过30μm;温度较低时,薄膜易向[220]方向生长;温度达到1170℃时,多晶硅薄膜有向[111]方向生长的趋势.

关键词：多晶硅、薄膜、沉积温度、晶体生长、晶体取向、太阳电池

所属期刊栏目：35

分类号：TK514(特殊热能及其机械)

资助基金：国家自然科学基金50376067

在线出版日期：2007-06-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：72-76