双层多晶FLOTOX E2PROM的阈值电压退化特性

摘要：

基于FLOTOX E2PROM结构,分析了影响FLOTOX E2PROM可靠性的主要因素,包括可编程窗口退化、电荷保持特性退化及与时间有关的隧道氧化层击穿(TDDB)等,发现FLOTOX的可靠性与隧穿氧化层的质量密切相关.实验表明,擦/写电压应力周期、脉冲电压应力大小及脉冲宽度的变化都会影响FLOTOX E2PROM阈值电压的变化,分析认为隧穿氧化层中产生的缺陷(陷阱电荷)是引起FLOTOX E2PROM阈值电压退化的主要原因,隧道氧化层中的陷阱电荷通过影响注入电场使阈值电压增加或减少.

关键词：FLOTOX E2PROM、阈值电压、陷阱电荷、可靠性

所属期刊栏目：32

分类号：TN406(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家重点实验室基金00JS03.2.1.JW0205

在线出版日期：2004-10-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：18-21