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10.3321/j.issn:1000-565X.2001.02.009

富氮SiOxNy膜的电子注入特性

引用
通过施加直流电压于P型SiOxNy薄膜,使热电子注入到薄膜而引起薄膜电学参数的改变.测试了薄膜在电子注入前后电学参数的变化,以研究薄膜的电子注入特性,探求薄膜的抗电子注入能力与制备工艺之间的关系.结合俄歇电子能谱和红外光谱分析膜的微观结构,对薄膜的电子注入特性进行了理论分析与讨论.

SiOxNy薄膜、等离子体增强化学气相淀积、电子注入、俄歇电子能谱、红外光谱、电学特性

29

TN304.055;O484.42(半导体技术)

广东省自然科学基金950186

2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

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华南理工大学学报(自然科学版)

1000-565X

44-1251/T

29

2001,29(2)

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