氧化铝中氧空位形成能的掺杂调制

摘要：

采用第一性原理计算结合原子替位掺杂的方法,研究原子掺杂效应对氧空位形成能的影响.通过计算发现,在氧化铝中进行金属原子替位掺杂可以显著降低氧空位的形成能,有利于形成局部的电阻退化,使氧化铝成为潜在的阻变功能材料.对氧化铝基阻变存储器件的设计、制备及其在新型存储器件领域的应用具有参考价值.

关键词：阻变存储器;氧化铝;掺杂;氧空位;形成能

所属期刊栏目：31

分类号：O469(真空电子学（电子物理学）)

资助基金：湖南省教育厅一般项目;湖南工程学院国家基金预研项目;湖南工程学院博士启动基金项目

在线出版日期：2021-09-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：63-66