半导体Ge的能带计算

摘要：

用紧束缚[1]方法计算了Ge晶体能带Ge的点能量.计算结果与Chadi[2]的实验值及吻合较好,与K·C Pondoy[3]的计算值比较接近,比Cohen and TR·Bergstresser[4]的计算值精确.

关键词：半导体、能带、局域势、非局域势

所属期刊栏目：21

分类号：O481(固体物理学)

在线出版日期：2011-05-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：14-15,19