一种高线性的CMOS低噪声放大器结构

摘要：

采用TSMC0.35 μmCMOS工艺,设计了一个5.7 GHz可用于无线局域网的低噪声放大器,电路在采用单端共源共栅结构的基础上为改善线性度而引进低频陷波网络(Low-frequency-trap Network),用ADS软件仿真与优化.仿真结果表明,在电源电压1.5 V情况下,噪声系数NF为1.22 dB,输入反射系数S 11为-15 dB,反向隔离性能S12为-32.9 dB,增益S21为17.8 dB,三阶交截点IIP3为+12.7 dBm,功耗为8 mW.

关键词：低噪声放大器、无线局域网、线性度

所属期刊栏目：17

分类号：TM76(输配电工程、电力网及电力系统)

资助基金：国家自然科学基金60676021

在线出版日期：2008-03-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：5-8