基于BiCMOS工艺的Bipolar VCO和CMOS VCO性能对比

摘要：

阐述了基于BiCMOS工艺的全集成LC调谐压控振荡器的基本原理.为了比较Bipolar VCO和CMOS VCO的性能,他们很好地设计在同一块芯片上.在560M的中心频率上,CMOS VCO无论在功耗,还是在相位噪声方面都要优于Bipolar VCO,他们的电流消耗分别为3.9 mA和5.9 mA,两种VCO都是基于0.6 μm BiCMOS工艺而仿真和测量的.

关键词：压控振荡器、交叉耦合、调谐特性、功耗、相位噪声

所属期刊栏目：17

分类号：TM752(输配电工程、电力网及电力系统)

在线出版日期：2007-06-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：11-14