半导体桥生成等离子体温度的测量

摘要：

应用原子发射光谱双谱线测温法原理,采用高速数字存贮示波器对半导体桥生成的等离子体温度以及桥上电压、电流变化进行了实时瞬态测量,获得了等离子体温度以及半导体桥上消耗的能量随时间变化的曲线,在半导体桥两端施加21 V电压的条件下,对6.8、15、47、68、100 μF五种不同容量的钽电容对半导体桥的作用时间、消耗能量以及生成等离子体温度的影响进行了研究,结果表明: 半导体桥生成等离子体最高温度与电容呈线性关系,其最高温度由6.8 μF时的2242 K升高到100 μF时的3324 K.

关键词：应用化学、火工品、半导体桥、等离子体、温度测量

所属期刊栏目：17

分类号：TJ45+3;O536;O657.31(弹药、引信、火工品)

资助基金：国家自然科学基金50806033;重点实验室基金

在线出版日期：2009-08-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：344-348