碳化硅半导体材料的辐照试验及表征研究

摘要：

介绍了用于碳化硅半导体材料辐照试验的装置和基本流程,分析了碳化硅半导体材料在辐照试验后的表征变化,包括离子注入量与原子平均离位损伤的关系,碳化硅表面形貌变化情况,碳化硅C-AFM测试结果分析.通过试验,对辐照剂量引起的碳化硅半导体材料的损伤机制有了基本了解.

关键词：碳化硅材料、辐照试验、原子平均离位损伤、C-AFM测试

所属期刊栏目：13

分类号：TN304(半导体技术)

在线出版日期：2022-03-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：38-39