SRAM型FPGA散裂中子源反角白光中子单粒子试验

摘要：

本文利用中国散裂中子源(CSNS)反角白光中子束线开展了45nm工艺XC6SLX150、XC6SLX16两款SRAM型FPGA器件大气中子单粒子效应地面模拟试验,分析获得了器件截面数据并与之前结果进行比较.结果表明,同工艺器件中子单粒子效应截面基本一致,反角白光中子源、LANSCE散裂源及国内14MeV单能中子源单粒子试验截面基本一致,验证了反角白光中子源开展大气中子单粒子试验的可行性.

关键词：散裂中子源、反角白光中子、FPGA、单粒子

所属期刊栏目：32

分类号：V216.5(基础理论及试验)

在线出版日期：2021-03-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：62-65