硅纳米晶体浮栅存储器件特性研究

摘要：

通过硅(Si+)离子注入使硅纳米晶体存在于SiO2层中充当离散浮栅,制造出纳米晶体浮栅存储器件,测试器件的阈值电压变化(△Vth)、耐擦写能力和数据保持能力,得到该纳米晶体浮栅存储器件的存储特性.测试结果表明,该纳米晶体浮栅存储器件具有大的△Vth和较快的写/擦速度、非常好的耐擦写能力和很好的数据保持能力,具有应用于航空航天设备中的潜力.

关键词：离子注入、硅纳米晶体、耐擦写能力、数据保持能力

分类号：TN3;TQ4

资助基金：航空科学基金资助项目2008ZC80;自然科学基金资助项目60806040

在线出版日期：2015-12-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：38-40