10.16080/j.issn1671-833x.2023.10.014
大高宽比阶梯型铜微柱阵列的制作
基于THB-151N光刻胶的微电铸工艺制作了一种阶梯型铜微柱阵列.针对THB-151N光刻胶显影过程中20 μm微盲孔显影困难和底部留膜的问题,提出了一种基于浸没式双向兆声波辅助的显影方法.仿真研究了兆声功率密度和微盲孔深宽比对显影液传质过程的影响.优选了兆声功率密度和微盲孔深宽比,并开展了兆声辅助显影的试验研究.同时,针对THB-151N胶膜因曝光剂量选择不当导致微盲孔侧壁垂直度差的问题,通过光刻试验分析了曝光剂量对微盲孔侧壁垂直度的影响,拟合出曝光剂量与胶膜厚度的经验方程.在上述工艺方法和试验研究的基础上,制作出高度300μm、整体高宽比达15:1、最小边长20μm、4×6的阶梯型铜微柱阵列.
铜微柱阵列、紫外光刻、显影、微电铸、兆声
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TN305.7;TU352.1;TN41
国家自然科学基金;国家自然科学基金;大连市科技创新基金
2023-07-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共7页
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