10.3969/j.issn.1671-833X.2014.06.014
基于聚碳硅烷裂解度场的PIP工艺控制方案
以聚碳硅烷为前驱体采用PIP工艺制造陶瓷基复合材料构件,在裂解炉升温过程中,由于炉内温度场空间分布上存在的差异,以及炉内不同区域的实际升温过程相对于控温程序的滞后性,导致了裂解场分布不均匀。以聚碳硅烷热裂解动力学为基础,通过温度场与裂解度场的对应关系,阐述裂解度场的计算过程,并提出应用裂解度场的PIP工艺质量一致性控制方案。
聚碳硅烷、热解动力学、裂解度场
TQ3;TQ1
2014-05-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
72-74