10.11868/j.issn.1005-5053.2024.000061
不同工艺制备的SiCf/SiC复合材料水氧腐蚀行为
分别采用熔渗(melt infiltration,MI)工艺、化学气相渗透结合前驱体浸渍裂解(chemical vapor infiltration combined with precursor infiltration and pyrolysis,CVI+PIP)工艺及前驱体浸渍裂解(precursor infiltration and pyrolysis,PIP)工艺制备SiCf/SiC复合材料,采用扫描电镜及其附带的能谱仪、X射线衍射仪等表征分析不同工艺制备的SiCf/SiC复合材料在 1300℃水氧环境腐蚀前后的微观结构、组成及性能变化.结果表明:不同工艺制备的复合材料氧化后断口氧元素分布有明显不同,氧化后的物相与制备工艺密切相关;经 1300℃/50 h水氧腐蚀后,MI工艺制备的SiCf/SiC复合材料强度保留率为 84%,模量保留率为 76%;CVI+PIP工艺制备的SiCf/SiC复合材料强度保留率为 64%,模量增加 6%;PIP工艺制备的SiCf/SiC复合材料强度保留率为 49%,模量增加 17%;MI工艺制备的复合材料表现为氧化增重,而采用CVI+PIP及PIP工艺制备的复合材料表现为氧化失重,主要与其微观结构及组成相关.
碳化硅纤维增强碳化硅复合材料、熔渗、化学气相渗透、前驱体浸渍裂解、水氧腐蚀
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V257;TQ174.1(航空用材料)
2024-08-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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