石墨表面CVD SiC涂层微观结构研究

摘要：

研究CH3SiCl3-H2-Ar体系中在石墨表面化学气相沉积SiC涂层工艺,并对涂层形貌进行SEM分析.考察沉积温度、气体比例、气体流量以及稀释气体含量对化学气相沉积SiC涂层的显微结构的影响.结果表明,在温度1100℃,H2∶ MTS=5 ∶ 3,气体流量8L/min,稀释气体1L/min时,制备的涂层致密光滑.其中涂层的形貌对温度最敏感,当沉积温度达到1100℃时,CVD SiC涂层表面致密且光滑.

关键词：化学气相沉积、SiC涂层

所属期刊栏目：28

分类号：TG232(铸造)

在线出版日期：2008-06-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：50-54