10.3969/j.issn.1005-5053.2006.05.014
裂解温度对先驱体转化制备2D-Cf/SiC材料结构与性能的影响
以聚碳硅烷(PCS)、二乙烯基苯(DVB)和SiC微粉为原料制备了2D-Cf/SiC材料,考察了首次裂解温度对材料结构与性能的影响.结果表明,首次裂解温度的提高有助于弱化界面结合,形成良好的界面结构,从而提高材料的力学性能.当裂解温度从1000℃提高到1600℃时,材料的弯曲强度由200.7MPa提高到319.2MPa,剪切强度由16.8MPa提高到29.8MPa,断裂韧度由7.4 MPa·m1/2提高到15.0 MPa·m1/2.
裂解温度、界面、先驱体转化法、Cf/SiC材料
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TB323(工程材料学)
2006-11-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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