MOCVI制备Nextel 720/SiO2复合材

摘要：

研究了MOCVI(Metal Organic Chemical Vapor Infiltration)方法制备Nextel720/SiO2复合材料的工艺理论基础，分析了载气流量、先驱体TEOS(正硅酸乙酯)温度、沉积温度和氧气浓度对氧化硅基体沉积速率和Nextd720/SiO2复合材料显微结构的影响。结果表明，TEOS 60℃，O2流量30ml·min-1，载气流量400ml·min-1，沉积温度600℃为复合材料最佳制备条件。

关键词：TEOS、MOCVI、Nextd 720/SiO2、复合材料、制备条件

所属期刊栏目：21

分类号：TB332(工程材料学)

资助基金：航空基金99G53081

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：13-17