表面沟道漏电对长波光伏HgCdTe器件性能的影响

摘要：

研究了表面沟道漏电流对长波n-pHgCdTe光伏器件性能的影响.通过对栅控HgCdTe二极管I-V特性的研究,证实了表面势引入的表面漏电对长波HgCdTe光伏器件反向I-V特性具有较大的影响,提出了改进方向.

关键词：长波光伏HgCdTe器件、伏安特性、表面漏电流

分类号：TN215;TJ765.3(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2006-02-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：20-22