180nm CMOS微处理器辐照效应敏感外设及其损伤剂量的概率模型分析

摘要：

针对特征工艺尺寸为180 nm的互补金属氧化物半导体微处理器进行了60Co在线电离辐照实验,找出了片内对辐照效应敏感的外设,分析了其对总剂量效应敏感的原因,详细介绍了处理电离辐照实验数据的方法.对比了片内闪存存储器、定时器、通用同步/异步收发器、模拟数字转换器及通用输入输出等外设对在线辐照的敏感程度.结果 表明:对总剂量效应最敏感的功能是片内闪存存储器的写入功能,原因是电荷泵失效.建立了片内闪存存储器由于总剂量效应导致写入失效的统计概率模型,分析了模型参数的物理意义.结果表明:在63.3～97.3 Gy(Si)?h?1剂量率下,该失效的概率关于总剂量的变化适合用三参数威布尔分布描述.

关键词：CMOS微处理器、总剂量效应、在线实验、概率分布

所属期刊栏目：44

分类号：TL99

在线出版日期：2021-03-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：61-66