离子辐照GaAs的光致发光和拉曼散射研究

摘要：

利用250 keV质子和4.5 MeV氪离子(Kr17+)辐照未掺杂GaAs，注量分别为1×1012?3×1014cm?2和3×1011?3×1014 cm?2，使用光致发光谱和拉曼散射谱分析表征。发光谱的结果表明，随着剂量增大，质子辐照后的CAs峰及其声子伴线逐渐减弱，913 nm处的复合缺陷峰则先增大后减小，此峰与材料制备时的Cu掺杂无关。Kr离子辐照后本征发光峰则完全消失。拉曼散射谱的结果表明，相比于质子辐照，Kr离子辐照后LO声子峰峰位向低频方向移动，出现非对称性展宽，晶体结构发生明显改变。质子和Kr离子辐照效应的差异是由于移位损伤相差至少三个量级造成的。最后采用多级损伤累积(Multi-step damage accumulation, MSDA)模型得到了材料内缺陷的演化过程，并很好地解释了随损伤剂量增大GaAs光学性能及晶体结构的变化趋势。

关键词：GaAs、辐照效应、光致发光谱、拉曼散射谱

所属期刊栏目：39

分类号：TL99

资助基金：强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西北核技术研究所专项经费资助项目

在线出版日期：2016-11-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：17-23