期刊专题

10.11889/j.0253-3219.2016.hjs.39.060202

X射线管足跟效应的蒙特卡罗模拟与分析

引用
X射线管的足跟效应是影响其性能的重要因素。为研究足跟效应对X射线能谱分布的影响,利用MCNP5软件构建了 X 射线管仿真模型,并设置了不同空间位置分布的探测器组,通过改变靶角、管电压和靶材料等参数研究X射线管的性能。仿真得到了靶角对X射线能谱的影响,以及在不同空间方位上X射线强度的分布,最后综合仿真结果得到了靶角、管电压以及靶材料对足跟效应的影响规律。仿真的方法和结果对 X 射线管的设计和使用提供了一定的理论指导。

阳极足跟效应、X射线球管、能谱分布、蒙特卡罗模拟

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TL99

2016-07-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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核技术

0253-3219

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