双极晶体管的瞬时中子辐射损伤规律试验研究

摘要：

瞬时中子辐射损伤效应是评价电子器件抗辐射能力的一项重要指标。利用晶体管直流增益的倒数与中子注量呈线性关系这一特点，采用参数一致性好的硅双极晶体管3DK9D 作为位移损伤探测器，通过在线监测晶体管直流增益随累积中子注量的变化，获得了双极晶体管对脉冲中子辐照的响应特性。结果表明，晶体管的瞬时辐射效应是电离损伤和位移损伤共同作用的结果。在相同累计中子注量下，瞬态辐照损伤效应远强于稳态辐照损伤结果。

关键词：双极晶体管、瞬时辐照效应、脉冲中子辐照、直流增益、中子注量

分类号：TL81(粒子探测技术、辐射探测技术与核仪器仪表)

在线出版日期：2015-09-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：090403-1-090403-5