电子元器件的微剂量效应研究进展

摘要：

高能重离子在其径迹周围局域空间所沉积的微剂量,足以引起器件特性的永久性退化,导致存储器状态无法改变或器件功能异常等现象.本文综述了此领域的国内外研究进展,基于局域总剂量与强库仑斥力两种失效机制,结合几种典型电子元器件的结构特征,介绍了微剂量效应的失效表征,并讨论了其主要影响因素和发展趋势.

关键词：微剂量效应、局域总剂量、重离子辐照、固定位

所属期刊栏目：35

分类号：TN386.1(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金项目11175271

在线出版日期：2015-06-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：698-703