空间单粒子锁定效应研究

摘要：

空间辐射效应是影响器件空间性能的重要因素,特别是单粒子锁定现象一直是困扰CMOS器件在空间应用的一个难题.为此,文中分析了空间单粒子锁定效应机理、特点、模拟试验及检测方法,并选取典型空间用器件开展了单粒子锁定试验研究,在此基础上,结合试验数据分析给出了单粒子锁定防护方法、监测方法及建议,供相关技术人员参考.

关键词：CMOS器件、单粒子锁定、模拟试验、防护设计方法

所属期刊栏目：35

分类号：TN406(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：真空低温技术与物理重点实验室基金9140C55020912OC5501

在线出版日期：2015-06-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：692-697