D-T快中子治疗准直屏蔽体设计及中子特性模拟

摘要：

设计了一个用于D-T快中子治疗的准直屏蔽体,通过D-T中子在准直屏蔽体中的MCNP模拟,计算了屏蔽体外透射中子和透射光子在水中的吸收剂量,由此评价了准直屏蔽体的屏蔽效果.利用MCNP程序,模拟了准直中子束及中子束中的γ射线在源皮距(SSD)100 cm处的能谱,计算了γ射线与中子束在水中吸收剂量的比值,对准直中子束中γ,射线的污染水平进行了评价.完成了准直中子束在人体组织等效水箱中输运的MCNP模拟,给出了吸收剂量深度分布、吸收剂量横向分布和吸收剂量等剂量曲线.

关键词：准直屏蔽体、D-T中子源、快中子治疗、源皮距、吸收剂量

所属期刊栏目：33

分类号：R144.1(放射卫生)

资助基金：国家经贸委高技术开发项目96BK-474;教育部"958工程"项目资助

在线出版日期：2015-06-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：580-583