不同型号PMOSFETs的剂量率效应研究

摘要：

对比研究了国内外五种不同型号的PMOSFETs,在不同剂量率、不同偏置条件下的辐照响应特性;并对高剂量率辐照后的器件进行了与低剂量率辐照等时的室温退火.结果表明,随着辐照累积剂量的增加,所有器件阈值电压的漂移都更加明显;不同型号的器件在不同条件下,表现出了时间相关(TDE)和低剂量率损伤增强(ELDRS)两种不同的剂量率效应.因此,ELDRS效应在PMOSFETs器件中并不是普遍存在的.

关键词：PMOSFETs、偏置、剂量率、时间相关效应、低剂量率损伤增强效应

所属期刊栏目：33

分类号：TN322+.8(半导体技术)

在线出版日期：2015-06-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：543-546