Co掺杂ZnO的快中子辐射损伤研究

摘要：

用中子发生器上D-D反应的2.5 MeV中子辐照Co掺杂ZnO和对照样品纯ZnO单晶.室温下测量了样品的X射线衍射谱、光致发光谱和透射光谱.结果表明,快中子辐照后的纯ZnO单晶中引入了氧空位(Vo)和氧错位(OZn)缺陷,且有少量的锌填隙(Zni)和氧填隙(Oi)缺陷.Co掺杂ZnO中存在的Co以及钴氧化物纳米团簇由于快中子轰击而分解消失.快中子与替代Zn2+的Co2+的碰撞导致大量的Co2+离开ZnO晶格点位,导致Co掺杂ZnO中引入钴填隙杂质和锌空位(VZn)缺陷.中子辐照后的所有样品依然呈纤锌矿结构并沿c轴高度择优取向.表明纯ZnO和掺Co氧化锌半导体材料具有良好的抗辐照性能,在空间器件方面具有应用潜力,且有助于在ZnO点缺陷方面的研究.

关键词：ZnO单晶、Co掺杂的ZnO、快中子辐照、缺陷

所属期刊栏目：33

分类号：O483(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金项目10375028;兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室开放课题MMM200827;教育部留学回国人员科研启动基金

在线出版日期：2015-06-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：526-531