离子注入制备SixMn1-x稀磁半导体的X射线衍射

摘要：

把1×1016/cm2的200 kev Mn离子注入p型Si单晶(100)片中,在N2气氛下进行600℃、700℃、800℃和900℃退火,制得SixMn1-x稀磁半导体.用同步辐射X射线衍射技术研究样品结构,发现Mn的注入和退火导致了Si结晶颗粒的产生,随退火温度升高,间隙位的Mn原子逐渐减少,替代位的Mn原子增加,同时晶格发生膨胀.间隙位和替代位Mn原子间的相互作用导致样品的铁磁性增强.

关键词：稀磁半导体、离子注入、X射线衍射

所属期刊栏目：33

分类号：O472+.5;O722+.5(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金10775108;国家基础科学人才培养基金项目J0830310

在线出版日期：2015-06-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：457-460