等离子增强化学气相沉积制备氧化硅薄膜的质谱诊断研究

摘要：

以六甲基二硅氧烷((CH3)3-Si-O-Si-(CH3)3,HMDSO)为单体,采用等离子增强化学气相沉积技术制备氧化硅薄膜,研究引起薄膜生长的前驱体、中间产物及活性自由基或分子.通过四极杆质谱仪对气相中的中间产物及活性粒子进行原位诊断,进行了不同功率、气压及O2与HMDSO比例(X)等对它们含量的影响研究.实验发现:高功率,低气压,及高O2含量有利于有机硅化合物的裂解.我们认为氧化硅沉积过程中质荷比为147的离子是气相反应形成含硅粒子的主要前驱体,对薄膜的形成起主要作用.

关键词：氧化硅、原位诊断、质谱分析

所属期刊栏目：32

分类号：O646.9;O484.1;O657.63(物理化学（理论化学）、化学物理学)

在线出版日期：2009-04-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：237-240