强流RFQ加速器注入器的研究进展

摘要：

用于中子照相的2MeVRFQ加速器须注入50 mA@50keV的脉冲D+离子束,束流占空比为1/10,发射度0.2 π-mm-mrad.а=1.93,β=5.16cm/rad.为此,我们建立了两台基于2,415 GHz的永磁微波离子源实验台.当微波功率小于450 w时,引出氢离子流的总流强大于80 mA,质子比好于90%,束流的归一化均方根发射度约为0.2-0.3π-mm-mrad.LEBT(低能束流输运线)实验台使用-个半包围结构螺线管磁透镜,束流传输效率大于80%.为优化源体设计,对源室尺度和放电室内衬材料研究,为源体的优化提供了依据.

关键词：注入器、发射度、流强、传输效率、微波离子源、LEBT

所属期刊栏目：32

分类号：TL503.3(加速器)

资助基金：国家自然科学基金10675015

在线出版日期：2009-04-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：165-168