基于高级硅刻蚀和硅氧化工艺的软X射线干涉光刻分束光栅的优化设计

摘要：

基于严格的矢量耦合波方法,对13.4nm(92.5eV)软X射线正入射于周期140nm的Si光栅和SiO2光栅的一级衍射效率进行了模拟计算,结果表明SiO2光栅的最大一级衍射效率远比Si光栅高,同时也比目前用于13.4nm软X射线干涉光刻的Cr/Si3N4复合光栅高.本文提出用高级硅刻蚀工艺和硅氧化工艺制作深高宽比纳米级SiO2光栅的新方法,可以解决直接刻蚀制作此光栅难度大的问题,适用于制作上海光源(SSRF)软X射线干涉光刻分束光栅.

关键词：软X射线透射光栅、衍射效率、高级硅刻蚀、硅氧化工艺、严格耦合波方法、软X射线干涉光刻

所属期刊栏目：31

分类号：O436.1(光学)

在线出版日期：2008-08-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：415-419