用卢瑟福背散射/沟道技术研究MOVCD方法生长的ZnO薄膜的弹性应变

摘要：

用卢瑟福背散射/沟道(RBS/Channeling)技术研究了在Al2O3(0001)衬底上用MOCVD方法生长的ZnO薄膜的弹性应变.ZnO薄膜的xmin=5.1%,表明其具有非常好的结晶品质.ZnO薄膜的四方畸变为正,表明其在水平方向是拉应变,垂直方向是压应变.弹性应变由界面向表面逐渐释放,其在界面附近最大,在表面处最小.

关键词：卢瑟福背散射/沟道、ZnO薄膜、结晶品质、四方畸变

所属期刊栏目：30

分类号：O47;TL99;TB43(半导体物理学)

在线出版日期：2007-10-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：657-659