MOS结构热载流子注入感生界面态及其退火特性

摘要：

本文对N型MOS电容进行了Fowler-Nordheim衬底热电子高场注入-室温退火-再次热电子注入-再次退火试验,并利用高频C-V及准静态C-V分析技术,从微观界面态热电子注入的感生及室温退火等角度研究了MOS结构热载子损伤及退火特性,为全面揭示SHE热载子损伤机制及发展抗热载子损伤的加固技术研究提供了基础.

关键词：热载子、界面态、电离辐照、退火

所属期刊栏目：29

分类号：TN386.1(半导体技术)

在线出版日期：2006-03-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：19-21