JFET输入运算放大器不同剂量率的辐照和退火特性

摘要：

本文对几种不同型号的JFET输入双极运算放大器在不同剂量率(1、0.1、0.01及10-4、6.4×10-5 Gy(Si)/s)辐照下的响应规律及随时间变化的退火特性进行了研究.结果显示,由于制作工艺相异,不同型号JFET输入双极运放对不同的剂量率辐照也表现出响应差异,但总的来说可分为三大类:第一类明显具有低剂量率辐照损伤增强效应,但同时又有时间效应的关系;第二类虽有不同剂量率的辐照损伤的差异,但这种差异可通过相同时间的室温退火来消除;第三类无剂量率效应,但有明显的"后损伤"现象.文中对引起电路辐照损伤差异的机理进行了探讨.

关键词：JFET输入双极运算放大器、60Co、γ辐照、剂量率效应、退火

所属期刊栏目：28

分类号：TN431.1(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2005-11-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：755-760