分子束外延生长ZnO薄膜的XAFS研究

摘要：

利用同步辐射广延X射线吸收精细结构(EXAFS),研究在不同条件下分子束外延制备的ZnO薄膜,如分别在蓝宝石(0001)、Si(100)衬底上,生长温度为200℃或300℃下得到样品的局域结构.发现这些ZnO薄膜的EXAFS函数(k2x(k))谱形状相似,说明各个样品都具有较为相近的基本局域结构.对生长温度为200℃的ZnO/A12O3(0001)和ZnO/Si(100)样品,其Zn-O第一配位峰的无序度σ2分别为0.0054A2和0.0080A2,当生长温度从200℃提高到300℃时,ZnO/A12O3(0001)样品的Zn-O第一配位峰的无序度σ2降为0.0039 A2.结果表明衬底与ZnO的晶格失配度和生长温度对ZnO薄膜的配位数、Zn-O键长影响不大,但较小的晶格失配度和较高的生长温度下得到的ZnO薄膜局域有序性较高;且样品的局域结构越有序,相应的配位峰幅度也越高.

关键词：分子束外延、ZnO、X射线吸收精细结构

所属期刊栏目：27

分类号：O433.51(光学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划2001-cb309505

在线出版日期：2004-08-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：494-496