总剂量辐射对高速电路时间特性的影响

摘要：

对不同辐照偏置条件下,总剂量辐射对高速CMOS电路54HC04时间参数的影响进行了探讨,并与相应的直流参数的响应特性进行了对比,研究了两者之间的相关性.结果表明,在总剂量辐射环境下,高速CMOS电路的延迟时间变化与阈电压的漂移有着强烈的相关性,0 V和4.5 V两种偏置状态将分别导致电路的时间参数的明显退化.

关键词：时间特性、总剂量辐射、辐照偏置

所属期刊栏目：26

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2004-01-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：834-836