低束流钕离子注入外延硅薄层的结构研究

摘要：

采用金属蒸气真空弧(MEVVA)离子源以低束流方式将Nd离子注入到外延硅片中,经高温快速退火处理,制备了结晶良好的钕硅掺杂层.用扫描电子显微镜(SEM)、反射式高能电子衍射(RHEED)和X射线衍射(XRD)分析了在不同退火条件下样品注入层相结构的变化.研究结果表明,经高温热处理,注入层形成结晶良好的钕硅化合物,出现由Nd5Si4相向NdSi相转变的趋势.并对其转变过程进行了初步探讨.

关键词：离子注入、钕硅化合物、结构

所属期刊栏目：26

分类号：O474(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金69766001

在线出版日期：2004-01-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：823-826