一种国产GaAs/Ge太阳电池的总剂量辐照特性

摘要：

对一种国产金属有机物化学气相沉积(MOCVD)工艺制备的GaAs/Ge太阳电池进行了1MeV电子辐照损伤研究,讨论和分析了电池电参数和光谱响应的衰降规律和原因并与常规硅太阳电池作了比较.实验结果表明,GaAs/Ge电池与常规Si电池相比,不但转换效率高而且其抗辐射能力也比Si电池好.另外,带有AlxGa1-xAs窗口层的GaAs电池的辐射损伤机理与Si电池不同.

关键词：太阳电池、电子辐照、辐射损伤、光谱响应

所属期刊栏目：26

分类号：TN304;TM914.4(半导体技术)

在线出版日期：2003-10-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：697-699